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单颗最大容量16GB 三星推出业界首款第三代HBM2E显存
2月5日消息 日前,三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片。第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成,可实现16GB的封装
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